1. The first integrated circuits contained only a few transistors.

처음 개발된 집적회로는 트랜지스터 몇개만 들어가 있었다.

2. ● Keep a transistor radio on hand with fresh batteries.

● 새 전지를 넣은 ‘트랜지스터 라디오’를 가까운 곳에 비치하라.

3. Active diode having improved transistor turn-off control method

트랜지스터 턴 오프 제어 방식이 개선된 능동 다이오드

4. Method and apparatus for manufacturing a thin-film transistor array substrate

박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치

5. The organic light-emitting element is electrically connected to the composite thin-film transistor.

유기 발광 소자는 복합형 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다.

6. Low temperature processable and photocurable organic insulator and organic thin film transistor using the same

저온 공정 및 광경화 가능한 유기절연체 및 이를 사용한 유기박막트랜지스터

7. The control voltage according to a resistance ratio is changed by turning on/off the transistor.

또한, 디밍 제어신호는 트랜지스터를 온/오프 할 수 있는 디지털 신호의 형태로 제공될 수 있다.

8. The magnetic field effect transistor comprises: a current control part; and a magnetic-field applying part.

전류 제어부는 복수의 전극, 및 복수의 전극 사이에 위치하며 외부에서 인가되는 자계에 상기 전극 사이에 흐르는 전류량을 변화시키는 전류 소통 물질 영역을 포함하고, 자계 인가부는 외부 입력에 따라 변화하는 미리 설정된 물질의 자화 상태에서 발생하는 자계를 전류 소통 물질 영역에 인가한다.

9. In this new development transistors as well as other circuit elements are put together in a series of layers.

새로 개발된 이 장치 안에서는 여러 개의 ‘트랜지스터’와 다른 회로상의 부품을 층층히 함께 묶어둔다.

10. This power characteristic differs fundamentally from that of a metal oxide semiconductor transistor, which is capacitor-based.

이 전력 특성은 커패시터를 기초로한 MOS 트랜지스터의 전력특성과는 기본적으로 다르다.

11. More specifically, the disclosed charge pump sets up a time interval between a control signal controlling a source switch and a control signal controlling movement of a sharing transistor, then turns on the sharing transistor so that it reaches a certain voltage level.

본 발명은 전하펌프(CP : Charge Pump)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소스 스위치의 동작을 제어하는 제어신호와 쉐어링 트랜지스터의 동작을 제어하는 제어신호가 일정한 시간적 차이를 갖도록 조절하여, 쉐어링 트랜지스터를 먼저 턴온시켜 일정한 전압준위에 도달하게 함으로써, 소스 스위치가 턴오프된 후에 발생되는 역전류를 방지하고 루프필터로 인가되는 다이나믹 커런트(Dynamic Current)를 안정적으로 유지할 수 있게 한 쉐어링 트랜지스터의 턴 온 시간 제어가 가능한 전하펌프에 관한 것이다.

12. Because of their many advantages, one of the things that transistors have made possible is the communications satellite.

‘트랜지스터’의 여러 가지 장점 때문에 가능하게 된 것들 중 한가지는 통신 위성이다.

13. Other advantages are: the transistor, not needing a warm-up period as tubes do, starts to work instantly.

또 다른 장점들로는, ‘트랜지스터’는 진공관과 달리 가열하는 시간이 없기 때문에 순간적으로 작용을 시작한다는 것이다.

14. Method for completely eliminating charge trap from the source (or drain) and the bulk region of a vertical transistor

수직 트랜지스터 소오스(또는 드레인)와 벌크 영역 내의 트랩 전하를 완전히 제거하기 위한 방법

15. The present invention relates to a DC-DC converter that comprises P-type or N-type transistors and outputs a desired voltage.

본 발명은 P형 또는 N형의 한 형태의 트랜지스터로 이루어져 원하는 전압을 출력할 수 있도록 한 직류-직류 변환기에 관한 것이다.

16. Method for manufacturing oxide semiconductor thin film transistor, and active operating display device and active operating sensor device using same

산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치

17. For example, a computer's main memory is made of transistors that switch between either high or low voltage levels, such as 5 volts and 0 volts.

가령 컴퓨터의 메인보드는 트랜지스터로 구성되어 있어요. 트랜지스터는 전압 레벨을 높고 낮게 바꾸는 역할을 하죠. 예를 들면 5나 0으로요.

18. The present invention introduces an amplifier with the minimal number of MOS transistors and dithering switches, and a display driving circuit using the amplifier as a buffer.

본 발명은 최소한의 모스트랜지스터의 개수 및 최소한의 디더링 스위치를 구비하는 증폭기 및 상기 증폭기를 버퍼로 사용하는 디스플레이 구동회로를 개시(introduce)한다. 상기 증폭기는 입력스테이지, 바이어스 스테이지 및 출력스테이지를 구비한다.

19. As compared to conventional ternary content-addressable memories, the ternary content-addressable memory according to the present invention has fewer transistors as components in order to reduce the size thereof.

본 발명에 따른 터너리 내용 주소화 메모리는 종래 터너리 내용 주소화 메모리와 비교하여 구성 트랜지스터의 수가 적어 작은 크기로 메모리를 제작할 수 있어서, 메모리 설계에 있어서 가장 중요한 요인 중 하나인 집적도를 향상시킬 수 있으며 소형화되고 경량화된 제품을 설계하는데 도움을 준다.

20. Integrated circuits such as 1K-bit RAMs, calculator chips, and the first microprocessors, that began to be manufactured in moderate quantities in the early 1970s, had under 4,000 transistors.

1Kb 램이나 계산기 칩, 세계 최초의 마이크로프로세서 같은 1970년대 꽤 많이 생산되었던 집적회로들은 4천개 이하의 트랜지스터를 포함했다.

21. The present invention relates to a method for manufacturing an oxide semiconductor thin film transistor, and to an active operating display device and an active operating sensor device using same.

본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

22. After the tuning circuit picks out the particular station desired, then by means of a vacuum tube (or transistor), called a converter, the modulated waves are changed to a lower frequency.

원하는 특정한 방송국을 동조회로가 포착한 후에 변주관이라고 하는 진공관(혹은 ‘트랜지스터’)에 의하여 변조파를 저주파수로 변화시킨다.

23. In addition, it is possible to achieve mass production of thin film transistors of diverse structures including nano-wires using a low temperature, large-area process, in the absence of a catalyst.

본 발명에 의하면, 크로스링크의 우려가 없는 나노와이어를 반도체 채널층으로 성장시켜 높은 전자이동도를 갖는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 촉매 없이 저온, 대면적 공정에서 나노와이어를 포함하는 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 대량으로 제조할 수 있다.

24. The bias stage generates two class-AB output voltages corresponding to the voltage levels of the two nodes, and includes a current mirror, ten path-selection switches, a class-AB bias circuit and two bias transistors.

상기 바이어스 스테이지는 상기 2개의 노드의 전압준위에 대응되는 2개의 클래스 AB 출력전압을 생성하며, 전류미러, 10개의 경로선택스위치들, 클래스 AB 바이어스회로 및 2개의 바이어스 트랜지스터를 구비한다.

25. The equivalent resistance of all the resistors connected to logical "1" and the equivalent resistance of all the resistors connected to logical "0" form the two legs of a composed voltage divider driving the transistor.

논리적 "1"에 연결된 저항과 논리적 "0"에 연결된 저항은 트랜지스터로 형성된 전압 분리기의 두 다리 역할을 한다.

26. The macromolecular compound according to the present invention can be used in various fields such as organic macromolecular solar cells, organic thin-film transistors and organic electroluminescent elements since it can provide outstanding light-absorbing properties, electrical conductivity, photovoltaic power and light-emission characteristics, and it is amenable to the process of spin coating when the device is employed.

본 발명에 따른 고분자 화합물은 소자 적용 시에 스핀 코팅 공정이 가능하고, 우수한 광흡수성, 전기전도성, 광기전력, 및 발광 특성을 제공할 수 있어 유기 고분자 태양전지, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전기 발광 소자 등과 같은 다양한 방면에 응용할 수 있다.